12月4日，据GlobalFoundries官网新闻，其又从美国当局取得了950万美元（折合国民币约6900万元）的联邦赞助，用于推动其位于美国佛蒙特州埃塞克斯接壤的工场的硅基氮化镓（GaN）半导体的出产。本文援用地点：据先容，这笔资金由美国国防部可托接入名目办公室（TAPO）供给，是美国联邦当局为支撑格芯在佛蒙特州的氮化镓名目而投入的最新资金。取得这笔资金后，格芯将持续为其氮化镓IP产物组合跟牢靠性测试增添新的东西、装备跟原型开辟才能，其将更濒临在佛蒙特州片面制作8英寸氮化镓芯片。据悉，自2020年以来，包含这项新资金在内，格芯统共从美国当局取得了8000多万美元，用于支撑研讨、开辟跟片面制作氮化镓芯片。此中包含2023年10月，格芯氮化镓名目取得了美国当局3500万美元的赞助。而在往年2月，作为芯片跟迷信法案的一局部，美国商务部发布打算向格芯供给15亿美元的直接赞助，用以扩展其在美国的氮化镓晶圆厂产能。营业停顿方面，往年6月，格芯跟BAE Systems树立了配合搭档关联，以增强美国国度保险名目的要害半导体供给。依据该协定，两家公司勉强增添美国半导体翻新跟制作的临时策略停止配合，两边独特目的是推动美国海内芯片制作跟封装生态体系，重要针对航空航天跟国防体系的保险芯片及处理计划。随后在7月，格芯收购了Tagore Technology的氮化镓功率产物组合，并在印度加尔各答创立了格芯加尔各答功率核心。该核心与格芯位于佛蒙特州的工场亲密共同并为其供给支撑，有助于推进格芯在氮化镓芯片制作范畴的研发跟量产。 　　申明：新浪网独家稿件，未经受权制止转载。 -->